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位移传感器
Description
详情先容：
此款位移传感器为nm级别光学位移传感器，，，，，区分率可达10nm，，，，，丈量规模100um.差别于常用的电容式位移传感器，，，，，由于其接纳光学设计，，，，，具有对电磁**，，，，，可用于重大的强电磁情形中。。。。由于接纳多种手艺，，，，，使其迅速度抵达干预仪级别。。。。
具有如下特色：
1.对温度转变不敏感。。。。
2.对电。。。。，，，磁场及电磁辐射**。。。。
3.具有大的可测规模，，，，，对传感器定位精度要求不高。。。。
4.具有高的丈量带宽，，，，，适合于振动剖析及高速丈量。。。。
5.具有小的测试区域。。。。测试点巨细可为30um~400um的测试光斑。。。。
可应用于如下各场合：
1.定位控制。。。。
2.振动测试。。。。
3.离轴丈量。。。。
4.外貌特征测试。。。。
5.薄膜或涂层的厚度丈量。。。。
Important Notice
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